JGD 1N5220B
" (1123)1N5220B THRU 1N5267B Silicon Planar Zener Diodes
1N5220...1N5281 SILICON PLANAR ZENER DIODES
1N5220...1N5267 Silicon Planar Zener Diodes
Silicon Planar Zener Diodes 1N5220...1N5267
1N5220…1N5267 Silicon Planar Zener Diodes
1N5220THRU 1N5281 0.5W SILICON PLANAR ZENER DIODES
ST810C Surface Mount Schottky Barrier Rectifier
BAV19WS, BAV20WS, BAV21WS Silicon Epitaxial Planar Diodes
SFAF501G THRU SFAF508G Glass Passivated Super Fast Rectifiers
1N4148WS Silicon Epitaxial Planar Switching Diode
1N4001(L) THRU 1N4007(L) 1.0 Amp. Silicon Rectifiers
SL22 thru SL210 Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers
SB1620 THRU SB16100 Schottky Barrier Rectifiers
US3AAF THRU US3MAF 3.0 Amp. Surface Mount Glass Passivated High Efficient Rectifiers
RB521S-40 Silicon Epitaxial Planar Schottky Barrier Diode
KBPC CKGEC1500568002测试报告
本报告为SGS对JGD半导体公司提交的桥式整流器样品进行的RoHS指令2011/65/EU合规性测试报告。报告内容包括样品描述、测试项目、测试方法、测试结果和结论。测试结果显示,样品中镉、铅、汞、六价铬、多溴联苯(PBBs)和多溴联苯醚(PBDEs)的含量均符合RoHS指令规定的限值。
R-1 TSNEC1501589501试验报告
本报告为JGD SEMICONDUCTOR CO., LTD.提交的KBP封装整流器(HF)样品的测试报告。报告编号为TSNEC1501589501,测试日期为2015年11月24日至12月1日。报告内容包括样品描述、测试项目、测试方法、测试结果和备注。测试项目涉及镉、铅、汞、六价铬、多溴联苯、多溴联苯醚、邻苯二甲酸酯等有害物质的含量检测,以及卤素、铍、全氟辛烷磺酸和全氟辛酸等物质的检测。测试结果显示,样品中部分有害物质含量低于限值,部分未检测到。
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